志存高遠，豪氣沖天——— 志豪微電子2022年應(yīng)屆生第一周培訓(xùn)圓滿結(jié)束

7月11日，一群懷揣夢想、肩負著理想抱負的莘莘學(xué)子加入了志豪微電子(惠州)有限公司。這是一群為了夢想來自五湖四海的追夢人，萬千人海中，我們聚在志豪，歡迎加入志豪微電子，讓我們一起做驕傲的志豪人!

2022-07-30

我國IPM（智能功率模塊）需求不斷增多 市場國產(chǎn)化替代空間大

智能功率模塊(IPM)，是智能化的IGBT功率模塊，是一種先進的混合集成功率器件。IGBT主流產(chǎn)品包括IGBT分立器件、ITBT模塊、IPM三大類。IGBT分立器件結(jié)構(gòu)最為簡單，可靠性較低;IGBT模塊封裝多個IGBT芯片與FWD芯片，適應(yīng)高壓、大電流電路，可靠性高;IPM功能集成度高，使用簡單，可靠性高。在IGBT市場中，IPM份額占比在30%左右。

2022-07-29

IPM是什么?

IPM是一種先進的功率開關(guān)器件，兼有GTR(大功率晶體管)高電流、低飽和電壓和高耐壓的優(yōu)點，以及MOSFET(場效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動功率的優(yōu)點。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路，使用起來方便，不僅減少了系統(tǒng)的體積，縮短了開發(fā)時間，也增強了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向。

2022-07-29

上半年預(yù)告出爐！斯達半導(dǎo)、露笑科技等多家半導(dǎo)體公司業(yè)績預(yù)增

近日，半導(dǎo)體上市公司陸續(xù)發(fā)布2022年半年度業(yè)績預(yù)增公告。

2022-07-28

SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區(qū)別

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。

2022-07-28

英飛凌采訪：第三代半導(dǎo)體與硅器件將長期共存

相較于傳統(tǒng)的硅材料，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有耐高壓、低導(dǎo)通電阻、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性。

2022-07-28